2SD130

シリコンパワートランジスタ 東芝 2SD130



低周波電力増幅用として設計されました。
拡散接合型構造のため三重拡散型やエピタキシャルプレーナ型に比べ「電流増幅率の直線性が悪い」「トランジョン周波数が低い」といった短所があります。
しかしトランジスタ固有の2次降伏破壊に対して非常に強いため、安心して使えるタフなトランジスタでもあります。
電流増幅率の直線性が悪いとアンプの歪率が大きくなりますが、負帰還によって改善することが出来ます。そうすれば十分実用に耐えるHiFiアンプが作れます。



【諸元】
製造:東京芝浦電気株式会社
構造:シリコンNPN拡散接合型
【最大定格】
コレクタ・ベース間電圧: 60V
コレクタ電流     :  3A
コレクタ損失     : 25W


画像及び本文:klx_111様